| Общие характеристики |
| Буферизованная (Registered) |
нет |
| Буферизованная (Registered) |
нет |
| Напряжение питания |
1.35 В |
| Напряжение питания |
1.35 В |
| Низкопрофильная (Low Profile) |
нет |
| Низкопрофильная (Low Profile) |
Да |
| Объем модуля, Гб |
4 |
| Объем модуля, Гб |
4 |
| Поддержка ECC |
нет |
| Поддержка ECC |
нет |
| Пропускная способность |
12800 МБ/с |
| Пропускная способность |
12800 МБ/с |
| Тактовая частота MHz |
1600 |
| Тактовая частота, Мгц |
1600 МГц |
| Тип памяти |
DDR3 |
| Тип памяти |
DDR3 |
| Форм-фактор |
DIMM 240-контактный |
| Форм-фактор |
DIMM 240-контактный |
| Тайминги |
| CAS Latency (CL) |
11 |
| CAS Latency (CL) |
11 |
| RAS to CAS Delay (tRCD) |
11 |
| RAS to CAS Delay (tRCD) |
11 |
| Row Precharge Delay (tRP) |
11 |
| Row Precharge Delay (tRP) |
11 |
Характеристики товаров, внешний вид, комплектация носят ознакомительный характер и не являются публичной офертой.
